---情况有:
1.电路设计的问题,就是让mos管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致mos管---的一个原因。如果n-mos做开关,g级电压要比电源高几v,才能完全导通,p-mos则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗,等效直流阻抗比较大,压降增大,所以u*i也增大,wpmos管报价,损耗就意味着---。这是设计电路的非常忌讳的错误。
2.频率太高,南通wpmos管,主要是有时过分追求体积,导致频率提高,mos管上的损耗增大了,所以---也加大了。
3.没有做好足够的散热设计,电流太高,mos管标称的电流值,一般需要---的散热才能达到。所以id小于大电流,也可能------,需要足够的辅助散热片。
4.mos管的选型有误,对功率判断有误,mos管内阻没有充分考虑,wpmos管厂家,导致开关阻抗增大。
公司成立于2013年7月,---从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压mos及电源、锂电ic等的销售,在led及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您---适合的芯片方案。
场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体,所以fet管的gate电流非常小。普通的fet用一薄层二氧化硅来作为gate极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(mos)晶体管,或,金属氧化物半导体场效应管mosfet。因为mos管更小更省电,所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
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说白了的过流保护,便是在輸出短路故障或过载时对电源或负荷开展维护,现阶段对电源过流保护有多种方式,如恒流形、恒输出功率型等,可是这种过流保护电路的制定都离不了mos管,一款高的品质的mos管能够提高电源过流保护的作用。
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